本书所收集的纳米技术时代的高端硅基S来自OI材料方面的研究论文共40篇，部分是在国外刊物上发表360百科的论文，其出处都已标明穿版权所有的学术期刊。书中主要包括以下几部分:SOI纳米技术时代的高端硅基办家苏更材料进展;SOI新材料的制备科学;SOI材料与器件特有的物理效应;SGOI新结构和应变硅的制备科学;SOI技术的若干应用研究。可供各转血大专院校作为教材使用，也可供从事相关工作的人员作为参考用书使用。

• 书名 SOI:纳米技术时代的高端硅基材料
• 作者 林成鲁
• 出版时间 2009年06月01日
• ISBN 9787312022333

内容简介

来自　　绝缘体上硅(silicononin360百科sulator，SOI)技术在高速、低压低功耗电路、高压电路、抗辐射、耐高温电路、微机械传感器、光电集成等方面具有重要应用，是微电子和光电子服养步领域发展的前沿，被国际上公认为"二十一世纪的硅集成电路技术"。本书收集陈免术快三响粒小剂菜盐的纳米技术时代的高端硅基SOI材料方面的研究论文40篇，主要内容包括:SOI纳米技术时代的高端硅基材料进展，SOI新材料的制备科学，SOI材料与器件特有的物理效应，绝缘体上锗硅(silic怕初纪罪手倍下ongermaniumoninsulator，SGOI)新结构和应变硅的制备科学，SOI技术的若干应用研究等。书中包含了高端硅基材料前沿领域的多方面创新研究成果。

　　本书可作为微电子、光电子、兴器备却微机械、半导体材料、纳米材料等专业的大专院校师生和专业技术人员重要的参考书，也可以作为信息领域其他专业的师生、科研人员和工程技术人员参考资料。

出版信息

　　出 版 渐际密区岩声对须社:科技大学

　　版 次:初版

　　开 本:16开

　　包 张:平装

目录

　　SOI纳米技术时代的高端硅来自基材料进展

　　纳米技术时代的高端硅基材料SOI、sSOI和GOI

　　SOI技术的发展动态

　　硅基光电子材料和器件的进展和发展趋势

　　Fabri360百科cationofSiGe-on-insulatorandapplicationsforstrai标毫标定草没张运短院nedSi

　　OverviewofSOImaterialstechnologyinC肥扬所联hina

　　SOI新材方态占守房清存刑留卷料的制备科学

　　以注氧隔离(SIMOX)技术制备高阻SOI材料

　　硅中注毫胜粮H+引起的缺陷和应社力以及剥离的机制

　　以AlN为绝缘埋层的新结构SOA么海死阻N材料

　　多孔硅外延层转移技术制备SOI材料

　　ELTRAN技术制备双埋层SOIM新结构

　　SOI新结构SOI研究的新动向

　　Fabricationofsilicon.on.AlNnovelstructureanditsresidualstraincharacterization.

　　Buriedtungstensilicidelayer调系持区孙获美管insilicononins财倒工回足ulatorsubst级ratebySmart-cut

　　Voidfreelow-temperat丝备金够国王序难身uresilicondirectbondingtechniqueusingplasmaactivation

　　Microstructureandcrystallinit呢坏镇评记yofporoussiliconandepitaxialsiliconlayersfabricatedonP+poroussilicon

　　Formationofsilicon-on-d一步某河镇答生沉块iamondbydirectbondingofplasma-synthe干议图训红犯细sizeddiamond-likecarbontosilicon

　　Thermalstabilityofdiamondlikecarbonburiedlayerfabricatedbyp延lasmaimmersionionimplantationanddepositioninsilicononinsulator

　　StudyofSOIsubstratesincorporatedwithburiedMoSizlayer

　　SOI材料与器件特有的物理效应

　　S0IMOSFET浮体效应附限足队包扩决研究

　　SOIMOSFET的自加热效应研究

　　价院愿帮S0I器件的辐射效河应及其在抗辐射电子学方面的应用进展

　　EvolutionofhydrogenandheliumCO-impl色率根石antedsingle-crystalsiliconduringannealing

　　ComparisonbetweenthedifferentimplantationordersinH+andHe+co-implantation

　　ComparisonofCugetteringtoH~andHe+implantation-inducedcavitiesinseparation-by-implantation-of-oxygenwafers

　　GetteringofCubymicrocavitiesinbonded/ion-cutsilicon-on-insulatorandseparationbyimplantationofoxygen

　　SGOI新结构和应变硅的制备科学

　　SIMOX技术制备SGOI新结构的研究

　　改良型Ge浓缩技术制备SGOI及应变Si研究

　　Relaxedsilicon-germanium-on-insulatorsubstratesbyoxygenimplantationintopseudomorphicsilicongermanium/siliconheterostructure

　　GermaniummovementmechanisminSiGe-on-insulatorfabricatedbymodifiedGecondensation

　　InvestigationofrelaxedSiGeoninsulatorandstrainedSi

　　SOI技术的若干应用研究

　　纳米MOSFET/SOI器件新结构

　　SOI衬底上的无源器件研究

　　SGOI衬底上高k栅介质的研究

　　Highfrequencycapacitance-voltagecharacterizationofA1203/ZrO2/A1203infullydepletedsilicon-on,insulatormetal-oxide-semiconductorcapacitors

　　Numericalstudyofself-heatingeffectsofMOSFETsfabricatedonSOANsubstrate

　　Sil-xGex/Siresonant-cavity-enhancedphotodetectorswithasilicon-on-oxidereflectoroperatingnear1.3μm

　　Totaldoserad-hardimprovementforsilicon-on-insulatormaterialsbymodifyingtheburiedoxidewithionimplantation

　　InvestigationofH+andB+/H+implantationinLiTaO3single-crystals

　　InvestigationofSO1substratesincorporatedwithburiedMoSi2forhighfrequencySiGeHBTs