本书主要论述用于非半导体材料表面改性的PlIl、PIIID技术相关物理与技术问题，关键部件及处理工艺问题。本书的主要内容包括PIIID技术发展概况，基础理论，PIIID设备关键部件设计，PIIID鞘层动力学计算机数值模拟与应用以及来自机械零件的PIIID复合、批量处理工艺与应用等。

• 书名 等离子体浸泡式离子注入与沉积技术
• 作者 汤玉寅，王浪平
• ISBN 9787118078923
• 页数 238
• 出版社 国防工业出版社

图书信息

　　作 者:汤玉寅，王浪平 编著

　　出 版 社:国防工业出版社

　　出版时间:2012士化弱承川声护方还-1-1

　　版 次:1

　　页 数:238

　　字 数:276000

　　印刷时间:2012-1-1

审输沿抓气防评础品斯　　开 本:16开

　　纸 张:胶版

　　纸印 次:1

　　I S B N:9787118078923

　　包 装:精装

内容简介

　　为了清楚PlIl与PIIID概念之间的区别，书中为提到的PlIl一般是指采用气体等离子体的PlIl技术，在PlIl过程中，离子注入是材料表面改性的主要因素;书中提到的PIIID一般是指采用金属等离子体与气体等离子体相结合的PIIID技术，在PIIID过程中，离子注入与薄膜沉积相结合的处理来自是材料表面改性的主要因素。本书称PIII

目录

　来自　1.1离子注入技术

　　1.1.1 离子注入技术的发展

　输持　1.1.2束线360百科离子注入(IBII)的局限性

　齐怎纸供　1.2等离子体浸泡式离子注入技术

　　1.2.1 等离子体浸泡式离子注入技术原理

　　1.2.2 案还刑兰办合另鲁章扬等离子体浸泡式离子注入技术与离子渗氮技术的区别

　　1.2.3等离子体浸泡式离子注入技术与沉积这讲婷烟后急零评千(PIIID)技术

　　1.3 束线离子注入与等离子体浸泡式离子注入技术的比较

　　1.3.1 PIIl与IBIl技术的比较

　　1.3.2两种离子注入保施钱爱浓布争技术要素的比较

　　1.3.3 IBIl和PIIl各自的优势及应用领域

　　1.4等离子体浸泡式离子注入与沉积技术研究现状

　　1.4.1 PIIl过程鞘层战军喜露赶环雷础保走动力学计算机理论数值模拟技术

　　1.4.2脉冲宽度可调、大面积、强流阴极弧金属等离子树成部景材杨减活缩肥远体源