王德君，男，毕业于清华大学，博士，大连理工大学教授、博士生导、硕士生导师。

• 中文名称 王德君
• 国籍 中国
• 毕业院校 清华大学
• 学位/学历 博士
• 专业方向 材料学

人物经历

教育经历

　　吉林大学半导体化学专业本科、硕士

　　清华大学材料学博士

工作经历

　　先后服务于北京大学、名古屋大学和奈良先端科学技术大学院大学，热寒纸宙束现大连理工大学教授，博士生导师(微电子、控制、凝聚态物理)。

学术成果

发表论文

　　Zhang, Yi-Jie,Yin, Zhi-Peng,Su, Yan,Wang, De-Jun.Passivation of carbo财察甲春苏层n dimer defects in amorphous SiO2/4H-SiC(0001) interface: A fir来自st-principles study[J],C洲思轮呀形洲HINESE PH争袁如YSICS B,2018,27(4)

　　Haipeng Zhang,王德君.A GaN/InGaN兰状答河/AlGaN MQW RTD for versatil360百科e MVL applications with improved logic stability[J],Journal of Semiconductors,2018,39(7):7400401-7批敌两啊缺存个毫均400411

　　杨超,王德君.Capacitance–V领概组扩材镇深铁皮日oltage Measurements and Bias Temperature Stress Induced Flatband Voltage Instability in 4H-SiC MOS Capacitors[A],Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Re入降响lated Materials (APCSCRM 2018),2018,2018先(July):13-26

　　Zhang Haipeng,Wang Dejun,Geng Lu,Lin Mi,Zhang Zhonghai,Lu Weifeng,Wang Xiaoyuan,Wang Ying,Zhang Qiang,Bai Jianling.High vo国之火列可危操班析ltage InGaN/GaN/AlGaN RTD suitable for ESD protection applications of GaN/InGaN-based devices and IC杨简扩跑第时s validated by simulation results[A],2018 25TH IEEE INTERNATION固路守却获态种错培AL SYMPOSIUM ON THE PHYSICAL AND 具拿侵府效影正排国FAILURE ANALYSIS OF INTEGRATED CIRCUITS (IPFA),2018

　　Wu, 更然式立数板Zijian,Ca如态增呢i, Jian,Wang, Qian,W吃煤背销游木月脱元ang, Junqiang,Wang, Dejun.Wa半方差百受永fer-Level Hermetic Package by Low-Temperature Cu/Sn TLP Bonding with Optimized Sn Thickness[J],JOURNAL OF ELECTRO刻矿慢打NIC MATERIALS,2017,46(10):6111-6118

　　王德君,何淼,秦芝,黄庆,都时禹.碳化铀寒灶付厚核燃料缺陷结构的研究现状[J],核技恋煮断术,2017,40(7):83-94

授权专利

　　一种降低SiC MOS界面态密度的表面预处理方法

　　镀金金属衬底上的氮化铝镓铟/二硫化钼钨膜及制备方法

　　石墨烯改性图形化金属衬底上的氮化镓基薄膜及制备方法

　　一种柔性聚酰亚胺衬底上的氮化镓基薄膜及其制备方法

　　一种自感知便携式图像无线监控设备及使用方法

　　一种降低SiO₂/SiC界面态密度的方法

代表著作

　　半导体材料与器件表陵芝赠征技术

科研项目

　　SiC MOS器件界面缺陷及其钝化研究, 国家自然科学基金项目, 2014/09/01, 完成

　　系统级封装技术工艺加工, 企事业单位委托科技项目, 2011/11/03-2011/12/31, 进行

　　新一代半导体谜断劝SiC材料表面处理技项请术, 省、市、自治区科技项目, 2007/01/01-2009/12/31, 完成

　　SiC半导体MOS结构界面态研究, 主管部门科技项目, 2007/01/01-2009/03/31, 完成

　　2006年度教育部新世纪优秀人才支持计划, 主管部门罪灶求科技项目, 2006/12/31-2009/12/31, 完成

　　SiC MOS器件近界面氧化物缺陷与阈值电压漂移抑制技术研究, 国家自然科学基金项目, 2018/08/16, 进行