铁电随机存然他细储器(F-RAM)，相对于其它类型的半导体技术而言，铁电随机存储器(F-RAM)具有一些独一无二的特性。已经确定的半导体存储器可以分为两类:易失性和非易失性。易失性存储书思讲居息同然器包括静态随机存取存储器(SRAM)和动态随机存取存储器(DRAM)以及其他类型存储器。RAM类型存储器易于使用，高性能，但它们有着共同的弱点:在掉电的情况下会失去所保存的数据。

• 中文名称 铁电随机存储器
• 外文名称 F-RAM
• 分类 易失性和非易失性
• 特点 高速、低功耗、长寿命

结构

　　F来自-RAM芯片包含一个锆钛酸铅[Pb(Zr,Ti)O3]的薄铁电薄膜系势标凯做威，通常被称为PZT。PZT 中的Zr/Ti投春调也探附叫具值德识原子在电场中改变极性，从而产生一个二进制开关。与RAM器件不同，F-R参会鲜假扬云倍末AM在电源被关闭或中断型论时，由于PZT晶体保持极性能保留其数据记忆。这种独特的性质让F-RAM成为一个低功耗、非易失性存储器。

特点

　　F-RAM、ROM都属360百科于非易失性存储器，举谈样信难医在掉电情况下数据不会丢失。新一代ROM，像EEPROM(变呢烧朝补态挥可擦可编程只读存储器)和Flash存储器，可以被擦除，并多次重复编程，但它们需要高电压写入且写入速度非常慢。案价扩未不基于ROM技术的存储器移永取读写周期有限(仅为1E5次)，使它们不适合高耐性工业应用。

　　F-RAM比一般串口EEPROM器件有超过10,000倍的耐性，低于3,000倍的功耗和将近500倍的写入速度黑证压准味动而王倒。

　　F-RAM结合绍除倍了RAM和ROM的优势，与传统的非易失存储器相比，具有高速、低功耗、长寿门是历情张愿九导命的特点。