《半导体锗材料与器件》是武战矿续敌在2010年冶金工业出版社出版的图来自书，作者是C.克莱。

• 书名 半导体锗材料与器件
• 作者 C.克莱
• 出版社 冶金工业出版社
• 出版时间 2010年4月1日
• 定价 70 元

内容介绍

　　《半导体锗材料与器件》是全面深入探讨这一技术领域来自的首部著作，其内容涵盖了半导体锗技术研究的最新进展，阐述了锗材料科学、器件引且胡评物理和加工工艺的基本原理。作者系来自科学界360百科及工业界从事该领域前沿研究的国际知名专家。

　　《半导体锗材料与器件》还介绍了锗在光电子学、探测器以及太阳能电池领域的工业应用。它对从事半导体器件与材料物理研究的科技人员、高等院校材料专业的师生以及工米知关帝又村头些持远齐业和研究领域的工程师们而言，是一部必不可少的参考书，无论是专家还是初学者都将从《半导体锗材料与业周站州器件》中受益。锗是研发晶体管技术的基础性半导体材料，近年来，由于其在微纳电子学领域的潜在优势，半导体锗材料又重新受到人们的关注。

作者简介

　　作者:(比利时)C沉细降我端.克莱 (比利时)E.西蒙 译者:屠海令 等

图书目录

　　0 导论

　　0.1 引言

　　0.2 历史沿革和重行太划次备大事件

　　0.3 锗用作新型超大规模集成电路(ULSI)衬底:机遇与挑战

　　0.4 本书梗概

　　参考文献

　　1 锗材料

　　1.1 引言

　　1.来自2 体锗片的制备

　　1.2.1 锗原材料:供应及生产流程

　　1.2.2 锗晶体生牛齐养尔长

　　1.2.3 锗片制造

　　1.3 GOI饭岁东劳则绝派眼当零衬底

　　1.3.1 背面研磨垂每妒天弱文七SOI

　　1.3.2 以薄层转移技术制备GOI衬底

　　1.4 结论

　　参考文献

　　2 锗中长入缺陷

　　2.1 引言

　　2.2 锗中本征点缺陷

360百科　　2.2.1 本征点缺陷特性的模拟

　　2.2.2 有关空位特性的实验数据

　　2.2.3 Voronkov模型对锗的应用

　　2.3 非本征点缺陷

　　2丝阻.3.1 掺杂剂

　　2.3.2 中性点缺陷

　　2.3.3 碳

　　2.3.4 氢

　　2.3.5 氧

　　2.3.6 氮

　　2.3.7 硅

　　2.4 直拉生长过程中自块达模死火控位错的形成

　　2.4.1 热模拟

　　2.4.2 机械应力的发生

　　2.4.3 锗的力雨苗却历速商觉粒益学性质

　　2.4.4 拉晶过复冷扩磁夫办程中的位错成核和增殖

　　2.4.5 锗中位错的电学影响

　　2.5 点缺陷团

　　2.5.1 空位团的实验观察

　　2.5.2 空位团形成的模型和模拟

　　2.6 结论

　　参年道听够考文献

　　3 锗中掺杂剂的扩散和晚绍述艺者述章等呼溶解度

　　3.1 引言

　　3.2 半导体中的扩散

　　3.2.1 扩散机制

　　3.2.2 自扩散

　　3.3 锗中的本征点缺陷

　　3.3.1 淬火

　　3.3.2 辐照

　　3.4 在锗和硅中的自扩散子克映序斯药扩械积和Ⅳ族原子扩散

　　3.4.1 放射性示踪实验

　　3.4.2 锗中同位素作用和Ⅳ族元素的扩散

　　3.4.3 掺杂和压力的影响

　　3.4.4 锗在硅中的扩散

　　3.5 锗中杂质的溶解度

　　3.6 锗中Ⅲ、Ⅴ族掺杂剂的扩散

　　3.6.1 Ⅲ族受主的扩散

　　3古团太海精析内钟井消.6.2 V族施主的权永货扩散

　　3.6.3 锗中掺杂电场对掺杂扩散的作用

　　3.6.4 小结

　　3.7 结论

　　参考文献

　　4 锗中氧

　　4.1 引言

　　4.2 间隙氧

　　4.2.1 氧浓度的测量

　　4.2.2 扩散率和溶解度

　　4.2.3 振动谱脚主怕黄验头断结构和缺陷模型

　　4.3 TDs和氧二聚物

　　4威令西.3.1 TDs的电子态

　　调损鸡款片料制元4.3.2 TDs的振动乡座告袁练依副谱

　　4.3.3 氧二聚物的振动谱

　　4.4 氧沉淀的红外吸收

　　4.5 空位.氧缺陷

　　4.6 结论

　　参考文献

　　5 锗中金属

　　5.1 引言

　　5.2 锗中的铜杂质

　　5.2.1 分配系数Kd

　　5.2.2 锗中铜原子结构

　　5.2.3 游离铜的扩散机理

　　5.光呢天聚住既河谈预仍2.4 掺杂浓度对铜扩散和溶解度的影响

　　5.2.5 锗中铜扩散Kick-0ut机理

　　5.2.6 锗中铜的沉淀

　　5.2.7 替位铜的能级和俘获截面

　　5.2.8 间隙铜原子与Cu-Cui原子对的能级

　　5.2.9 铜对锗中载流子寿命的影响

　　5.3 锗中的银、金和铂

　　5.3.1 分凝系数、溶解度和扩散系数

　　5.3.2 能级和俘获截面

　　5.3.3 对载流子寿命的影响

　　5.4 锗中的镍

　　5.4.1 镍在锗中的溶解度和扩散率

　　5.4.2 镍在锗中的能级和俘获截面

　　5.4.3 对载流子寿命的影响

　　5.5 锗中的过渡金属

　　5.5.1 铁

　　5.5.2 钴

　　5.5.3 锰

　　5.5.4 其他金属

　　5.6 锗中金属性能的化学趋势

　　5.6.1 电学性能

　　5.6.2 锗中金属的光学性质

　　5.6.3 影响锗中载流子寿命的因素

　　5.7 结论

　　参考文献

　　6 锗中缺陷从头计算的建模

　　6.1 引言

　　6.2 量子力学方法

　　6.3 Kohn-Sham能级和占据能级

　　6.4 形成能、振动模和能级

　　6.5 锗中的缺陷模拟

　　6.6 锗中的缺陷

　　6.6.1 锗中的空位和双空位

　　6.6.2 自间隙

　　6.6.3 氮缺陷

　　6.6.4 锗中的碳

　　6.6.5 锗中的氧

　　6.6.6 热施主

　　6.6.7 锗中的氢

　　6.7 缺陷的电学能级

　　……

　　7 锗中辐射缺陷及行为

　　8 锗器件的电学性能

　　9 器 件模拟

　　10 纳米尺度锗MOS栅介质和MOS结

　　11 先进的锗MOS器件

　　12 锗的其他应用

　　13 发展趋势与展望

　　附录