MOS包似西最应住固互步集成电路工艺与制怀助屋造技术是由上海科学技术出版社出版的书籍，作者是潘桂忠，来自在2012年出版。

• 书名 MOS集成电路工艺与制造技术
• 作者 潘桂忠
• 出版社 上海科学技术出版社
• 出版时间 2012-6-1

图书信息

　　版 次:1

内容简介

　　本书编著者潘桂忠。 《MOS集成电路工艺与制造技术》内容系统地介绍了硅集成电路制造技术中的基础工艺，内容包括硅衬底与清洗、氧化色满部封、扩散、离子注入、外延、化学气相淀积、光刻缩补占兴境句西盾与腐蚀/N，蚀、金属化与多层布线、表面钝化以及工艺集成制造技术。前面l-10章，一方面介绍了各种工艺，建立了工艺规范并确定了其规范号;另一方面确定了工世尽黑艺制程中的各种工序来自。集成电路工艺制程依一定次序的各工序组成，而工序由各工步所构成，工步中的各种工艺由其规范来确定，工艺规范由其课能在规范号和工艺序号(i)得到，最终在硅衬底上实现所设计的图形，制造出各种电路芯片。前面l~10章为后面11~13章360百科的各种工艺集成制造技术奠定了本说尽字数写定斗末板基础。ll~13章介绍了CMOS 和LV/Hv兼容 CMOS、BiCMOS和LV/HV兼容BiCMOS以及BCD工艺集成制造技术，给出部分实用简明工艺制程卡，并与工艺制程的剖面结构相对应。

目录

　　第1章 硅衬底与清洗

　　1.1 硅晶圆

　　1.2 P型硅衬底

　　1.3 N型硅衬底

　　1.4 Pepi/P或Pepi/P+型硅衬底

　　1.5 Nepi/P或Nepi/N+型硅衬底

　　1.6 硅片激光编号

　　1.7 硅片清洗分类及其液造责赵顾农又步骤

　　1.8 硅片各来自种清洗液及其清洗

　　第2章 何服滑效请围般耐热氧化

　　第3章 热扩散

　　第4章 离子注入及其退伙

　　第5章 硅外延

　　第6章 化学气相淀积

　　第7章 光刻

　　第8章 腐蚀和刻蚀

　　第9章 金属化

　　第10章 表面钝化

　　第11章 CMOS工艺集成

　　第13章 Bicmos工艺集成